【消费电子实验室-2016/5/21】深蓝巨人又要引领变革？IBM周二宣布了“相变存储”技术（phase-change memory ，PCM）的重要进步。相变存储技术的开发已有多年时间，IBM认为，这项技术的成本已降至可接受的范围，从而可以进入商用阶段。因此，新一代的存储技术已经诞生，这一技术便是相变存储。
IBM相变存储芯片 事实上，PCN相变存储并非什么新鲜的技术，在过去的几十年以来PCM技术一直被使用在光盘上。只不过在过去业界认为，PCM成本过高，而且每个单元只能储存1或2个比特位数据，并不能很好的应用于存储方面。 而此次IBM的科学家所做出的主要贡献便在于扩展每个PCM单元中可以容纳3比特位数据。此外，PCM可以利用电流实现在非晶玻璃上写入和读取数据，这也使得PCM技术比闪存更快，能力更强。 “相变存储技术将会和DRAM、闪存一样成为通用存储器，我们做出了第一个实例，从而完成了行业的一个巨大大挑战。”IBM首席研究员Haris Pozidis在瑞士苏黎世IBM研究中心如此说道。 “达到每单元3比特位是一个重要的里程碑，因为在这个密度PCM的成本将大大低于同等性质的DRAM或者闪存。”目前，大部分的智能手机和笔记本电脑采用了DRAM和闪存结合的方法进行存储，前者通常作为动态存储设备，后者被用来存储长期数据。 在过去，阻碍PCM的最大因素是其成本，但是在现在，于成本之外PCM能够提供更多的优势，而且这些优势远大于其成本的投入。这也是PCM可以取代现有存储的前提条件。 PCM并没有DRAM快，优势是便宜很多 PCM吸取了DRAM和闪存两者共同的优点。尽管PCM的速度并没有DRAM那么快，但是，DRAM的价格要比PCM贵太多，却只比PCM快5到10倍。而PCM的速度却可以比闪存理论上快70倍，在实际应用中往往超过100倍。 而且，IBM指出PCM的另一个优点是可以保持至少1000万次读写，这几乎是相当于存储获得了终身保修的概念。而闪存则要差很多，只有3000次左右。 当然，新的内存技术不断的炒作，IBM的PCM也并非是唯一的一家。在去年的时候，英特尔所推出的3D Xpoint存储技术被称为是比闪存快1000倍的技术。 小贴士：PCM工作原理 PCM的工作原理是利用电流将数据存储在一个芯片，然后改变单元的状态，由一个非晶体（非结构化）状态变为结晶（结构化）状态。然后数据状态可以由计算机依次读取，例如0为非晶体，1为结晶状态。 IBM的研究者在此所做的事情是改变该进程中的温度，并进行控制，当电流通过加热的单元时，可以让多大3个比特单位被存储在该单元。由于PCM获取了这种能力，该技术也就可以成为在商业上比DRAM和闪存更有吸引力的一种选择。 根据IBM的多位PCM存储器来看手机开机，在短短的几秒钟之内该过程就可以完成。而研究人员认为，这种处理速度几乎只有谷歌或者Facebook的数据中心才能看到更快的。 |
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