美光拟于2028 年推出计算芯片垂直堆叠 vHBM 与边缘推理 vEIM

2026-10-22 11:30| 发布者: cncelab| 查看: 95| 评论: 0

摘要: 美光预计 2028 年带来计算芯片垂直堆叠 vHBM 与边缘推理 vEIM。为实现 vHBM 和 vEIM，美光计划应用无凸块的混合键合技术，导入集成散热解决方案。

【消费电子实验室-2026/10/22】Micron（美光）当地时间昨日举行了 2026 年度技术网络研讨会，对 DRAM、泛 HBM、NAND 与 SSD 进行了展望，本篇聚焦于堆叠集成的泛 HBM 内存产品。

美光预计在标准 HBM5 面世的 2028 年还有两种新型 3DS 内存也将到来，分别是 vHBM 和 vEIM。

▲ HBM 先进封装

vHBM 可理解为 3D 集成版本的 HBM，垂直堆叠 DRAM Die、Base Die 和 XPU 逻辑主芯片，这能进一步缩短数据通信路径，提升带宽效率并降低能耗。vHBM 也能与标准 2.5D HBM 共存。

▲ HBM 进化进程

而 vEIM 在结构上与 vHBM 类似，但其设计瞄准的是端侧 AI 推理场景，初代产品目标实现 2TB/s 带宽和＜1pj / bit 的能效。

美光预计 2028 年带来计算芯片垂直堆叠 vHBM 与边缘推理 vEIM。为实现 vHBM 和 vEIM，美光计划应用无凸块的混合键合技术，导入集成散热解决方案。

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