联电：14nm良率突破90%

2023-5-11 18:06| 发布者: cncelab| 查看: 1009| 评论: 0

摘要: 在14nm制程技术方面，目前客户以14FFC平台设计的产品良率已突破90%，性能更满足客户需求，也已成功的导入5G及网通等应用，并且顺利进入量产。

【消费电子实验室-2023/5/11】据报道，联电董事长洪嘉聪在致股东报告书中指出，今年面临景气起伏调整与地缘政治挑战，联电会持续通过创新、差异化的特殊制程技术、卓越的晶圆制造以及多元区域化的产能配置，达成与客户紧密的策略伙伴关系，在5G、AIoT、电动车等大趋势下，乐观看待半导体长期需求成长。

从长期目标来看，洪嘉聪表示，制程研发和稳定获利一直是联电营运重心，将聚焦具有技术差异化及领先的特殊制程，包括低功耗逻辑、双极-互补金属氧化半导体-双重扩散金属氧化半导体（BCD）、嵌入式高压（eHV）、嵌入式非易失性记忆体（eNVM）、射频绝缘半导体（RFSOI）等。

在14nm制程技术方面，目前客户以14FFC平台设计的产品良率已突破90%，性能更满足客户需求，也已成功的导入5G及网通等应用，并且顺利进入量产。

22nm制程部分，与28nm高性能精简型制程技术平台（28HPC）具有相同光罩层数及相容的设计准则，但22nm制程技术性能提升10％、功耗降低20％、晶粒尺寸减少10％，因此，22nm制程技术的成本竞争力大大提升，进而提供客户更多选择。

关于显示器驱动器与功率管理制程技术，22nm高压25V制程技术的LTPO OLED面板驱动芯片产品已完成验证程序，今年进入试产；28nm超低功耗嵌入高压主动矩阵有机发光二极体（AMOLED）显示屏驱动芯片制程技术的开发，也已完成元件模型及设计规范，同样在今年进入试产。

联电强调，集团在化合物半导体领域，主要布局通讯元件与第三类半导体功率元件等利基市场，砷化镓元件部分，针对既有HBT功率放大器持续加入SAWWfilter整合方案，提供手机射频前端模组与WiFi6／7通讯模组整合制造方案。

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