中国存储器底层技术突破！中天弘宇发布自主原创快闪存储器

2021-8-23 10:02| 发布者: cncelab| 查看: 1199| 评论: 0

摘要: 该款产品创造性地对闪存存储进行重构，突破了20多年来阻碍闪存存储技术缩微扩容发展的瓶颈，使得其在同样的工艺条件下，可以做到大容量、小面积、低功耗，且有效解决大规模数据存储、运行一体化的技术性难题。

【消费电子实验室-2021/8/23】据东方网8月22日报道：突破20多年来阻碍闪存存储技术缩微扩容发展的瓶颈，实现中国存储芯片领域原创专利“零的突破”。今天，中天弘宇集成电路有限责任公司（简称：中天弘宇）在上海发布最新自主原创先进存储技术。

“二次电子倍增注入浮栅”技术实现中国存储器底层技术零的突破

中天弘宇运用“二次电子倍增注入浮栅” 的物理现象，并利用其进行了创新结构设计，初步构建了拥有国内、国际完整自主知识产权专利的系列新型高性能快闪存储器产品。研发成功的新型快闪存储器具有完整自主知识产权体系，先进高效闪存研发成果，创新存算一体解决方案，同时还具有关键环节配合协同发展。

记者了解到，该款产品创造性地对闪存存储进行重构，突破了20多年来阻碍闪存存储技术缩微扩容发展的瓶颈，使得其在同样的工艺条件下，可以做到大容量、小面积、低功耗，且有效解决大规模数据存储、运行一体化的技术性难题。为人工智能等行业发展，提供可靠、高效的存储技术解决方案。

该项发明成果已在中、日、美、韩和中国台湾地区申请了成体系的原创性发明专利，其中多项核心专利已获批，专利体系化建设在不断完善之中。

为数字信息化提供优质存算一体化解决方案

中天弘宇副总裁兼首席技术官聂虹介绍， “二次电子倍增注入浮栅”技术在90nm技术节点流片成功是一个重要的里程碑。未来将进一步拓展应用领域，协同EDA工具、应用设计、制造、封装、测试一体化发展，为全球数字信息化浪潮提供优质的存储及存算一体化解决方案。

中国工程院院士倪光南在视频致辞中指出：中天弘宇“二次电子倍增注入浮栅”技术是一项重大发明，实现了中国存储器底层技术零的突破。希望中天弘宇与集成电路行业企业一起发奋努力，设计创新更多自主原创的产品，提高自主原创存储器的市场份额，解决存储器的被动局面。

发布会上还邀请到了新思科技中国董事长兼全球资深副总裁葛群、国际半导体产业协会中国区总裁居龙、南芯半导体市场总监刘崇和资深工艺专家官浩等，共同研讨了国内先进存储技术和产业化进展状况，针对产业链融合、工艺实现、市场推广、融资策略等方面，提出了真知灼见。

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